Основы материаловедения и технологии полупроводников (2002) И.А. Случинская

вт, 12/03/2019 - 23:13
Основы материаловедения и технологии полупроводников
Автор(ы):
И.А. Случинская
Издательство:
Мир
Год:
2002
Формат:
DJVU
Размер:
1.60 МБ
Описание:

Весь материал курса разбит на главы, тесно связанные друг с другом на основе теории химических связей излагаются основные закономерности образования полупроводников. Рассмотрены структурные дефекты и их влияние на свойства материала. Описание существующих фазовых диаграмм, которые позволяют выбрать оптимальные условия получения полупроводника заданного состава, а также элементы общей теории образования фаз.

Даны методы получения материалов полупроводниковой степени чистоты, описаны основные технологические методы получения полупроводниковых монокристаллов из жидкой и газовой фаз, изложены общие принципы и методы легирования полупроводников, рассмотрены основные закономерности диффузии, широко используемой для создания заданного профиля распределения примесей в полупроводниковых структурах, описаны основные закономерности роста эпитаксиальных пленок и основные используемые в настоящее время методы эпитаксии – жидкостная и газовая эпитаксия, MOCVD, молекулярно-лучевая эпитаксия и др.

Категория:
Подкатегория:

Добавить комментарий